�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
BSC067N06LS3GATMA1
- Infineon��
- PG-TDSON-8��
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


BSC067N06LS3G_13 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������461.79 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����10�
- ������OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC067N06LS3GATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TDSON-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:60 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:50 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:6.7 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:67 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:69 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1.27 mm
- �L��:5.9 mm
- ϵ��:OptiMOS 3
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:5.15 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:38 S
- �½��r(sh��)�g:7 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:26 ns
- ���S���b��(sh��)��:5000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:37 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:15 ns
- ���̖(h��o)�e��:BSC067N06LS3 BSC67N6LS3GXT G SP000451084
- �����:100 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSC067N06LS3G(3)���P(gu��n)��̖(h��o)