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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSC082N10LS G PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?68 Kbytes
- PDF文件頁數:共10頁
- 描述:MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC082N10LS G技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TDSON-8
- 通道數量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Id-連續(xù)漏極電流:13.8 A
- Rds On-漏源導通電阻:8.2 mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:156 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:1.27 mm
- 長度:5.9 mm
- 系列:OptiMOS 2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.15 mm
- 商標:Infineon Technologies
- 下降時間:12 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:24 ns
- 工廠包裝數量:5000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:53 ns
- 典型接通延遲時間:19 ns
- 零件號別名:BSC082N10LSGATMA1 BSC82N1LSGXT SP000379609
- 單位重量:200 mg
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