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BSC100N10NSF G PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大小:652.70 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共10頁(yè)
  • 描述:MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC100N10NSF G技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TDSON-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:90 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:44 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:156 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.27 mm
  • 長(zhǎng)度:5.9 mm
  • 系列:OptiMOS 2
  • 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
  • 類(lèi)型:OptiMOS 2 Power-Transistor
  • 寬度:5.15 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:61 S, 31 S
  • 下降時(shí)間:7 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:23 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:26 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:18 ns
  • 零件號(hào)別名:BSC100N10NSFGATMA1 BSC1N1NSFGXT SP000379595
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