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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSC118N10NSG PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- 描述:OptiMOSa?¢2 Power-Transistor
BSC118N10NSG技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
- RoHS:是
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- Id-連續(xù)漏極電流:11 A
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.8 mOhms
- 晶體管極性:N-Channel
- Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:114 W
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TDSON-8
- 封裝:Reel
- 通道模式:Enhancement
- 配置:Single Quad Drain Triple Source
- 下降時(shí)間:8 ns
- 最小工作溫度:- 55 C
- 上升時(shí)間:21 ns
- 系列:OptiMOS 2
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:21 ns
- 零件號(hào)別名:BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGXT SP000379599
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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