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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSC159N10LSFGATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?66.74 Kbytes
- PDF文件頁數:共10頁
- 描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
BSC159N10LSFGATMA1技術規(guī)格
- 系列:OptiMOS??
- FET類型:N 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):9.4A(Ta),63A(Tc)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):2500pF @ 50V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):114W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):15.9 毫歐 @ 50A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PG-TDSON-8
- 封裝形式Package:TDSON
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:100V
- 連續(xù)漏極電流ID:9.4A
- 漏源電壓(Vdss):100V
- 供應商器件封裝:PG-TDSON-8
- 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
- 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:50V
- 無鉛情況/RoHs:否
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