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BSH103BKR PDF資料
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  • 描述:BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
BSH103BKR技術(shù)規(guī)格
  • SeriesTrenchMOS?
  • PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel?
  • FET TypeN-Channel
  • TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250μA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds79.3 pF @ 15 V
  • FET Feature-
  • Power Dissipation (Max)330mW (Ta), 2.1W (Tc)
  • Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting TypeSurface Mount
  • Supplier Device PackageTO-236AB
  • Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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