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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

    BSH201.215

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

    8年

    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區(qū)中航路都會軒240611012658

  • BSH201.215
  • NXP/PH　
  • 19+　
  • 　
  • 18000　
  • 原裝正品現(xiàn)貨，一站式終端物料配單　

  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

    實-單-專-線----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-問-秒-回彭小姐深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室11016820

  • BSH201125
  • NXP-恩智浦　
  • SOT-23-3　
  • ▉▉：2年內(nèi)　
  • ▉▉：78800　
  • ▉▉￥10一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫　

  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • BSH201/WJ6
  • ANPEC-茂達(dá)　
  • SOT-23-3　
  • ▉▉：2年內(nèi)　
  • ▉▉：78800　
  • ▉▉￥10一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫　

  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

    實-單-專-線----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-問-秒-回彭小姐深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室11016818

  • BSH201125
  • NXP-恩智浦　
  • SOT-23-3　
  • ▉▉：2年內(nèi)　
  • ▉▉：78800　
  • ▉▉￥10一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫　

BSH202 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
  • PDF文件大小：179.94 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共2頁
  • 描述：P-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor
BSH201.215技術(shù)規(guī)格
  • Rohs：Lead free / RoHS Compliant
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
  • FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • FET特點：Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓（VDSS）：60V
  • 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：300mA
  • Rds（最大）@ ID，VGS：2.5 Ohm @ 160mA, 10V
  • VGS（TH）（最大）@ Id：1.9V @ 1mA
  • 柵極電荷（Qg）@ VGS：3nC @ 10V
  • 輸入電容（Ciss）@?Vds的：70pF @ 48V
  • 功率 - 最大：417mW
  • 安裝類型 ：Surface Mount
  • 包/盒 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封裝：TO-236AB
  • 包裝材料 ：Tape & Reel (TR)
  • 包裝：3TO-236AB
  • 渠道類型：P
  • 通道模式：Enhancement
  • 最大漏源電壓：60 V
  • 最大連續(xù)漏極電流：0.3 A
  • RDS -于：2500@10V mOhm
  • 最大門源電壓：±20 V
  • 典型導(dǎo)通延遲時間：2 ns
  • 典型上升時間：4.5 ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
  • 典型下降時間：20 ns
  • 工作溫度：-55 to 150 °C
  • 安裝：Surface Mount
  • 最大門源電壓：±20
  • 包裝寬度：1.4(Max)
  • PCB：3
  • 最大功率耗散：417
  • 最大漏源電壓：60
  • 歐盟RoHS指令：Compliant
  • 最大漏源電阻：2500@10V
  • 每個芯片的元件數(shù)：1
  • 最低工作溫度：-55
  • 供應(yīng)商封裝形式：TO-236AB
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23
  • 最高工作溫度：150
  • 包裝長度：3(Max)
  • 引腳數(shù)：3
  • 包裝高度：1(Max)
  • 最大連續(xù)漏極電流：0.3
  • 封裝：Tape and Reel
  • 鉛形狀：Gull-wing
  • FET特點：Logic Level Gate
  • 安裝類型：Surface Mount
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：300mA
  • 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 1mA (Min)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：2.5 Ohm @ 160mA, 10V
  • FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • 功率 - 最大：417mW
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
  • 漏極至源極電壓（Vdss）：60V
  • 輸入電容（Ciss ） @ VDS：70pF @ 48V
  • 閘電荷（Qg ） @ VGS：3nC @ 10V
  • 封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
  • 其他名稱：568-6217-1
  • 類別：Power MOSFET
  • 配置：Single
  • 外形尺寸：3 x 1.4 x 1mm
  • 身高：1mm
  • 長度：3mm
  • 最大漏源電阻：2.5 Ω
  • 最高工作溫度：+150 °C
  • 最大功率耗散：0.417 W
  • 最低工作溫度：-55 °C
  • 包裝類型：TO-236AB
  • 典型柵極電荷@ VGS：3 nC V @ 10
  • 典型輸入電容@ VDS：70 pF V @ 48
  • 寬度：1.4mm
  • 工廠包裝數(shù)量：3000
  • 產(chǎn)品種類：MOSFET
  • 晶體管極性：P-Channel
  • 源極擊穿電壓：+/- 20 V
  • 連續(xù)漏極電流：0.3 A
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • RDS（ON）：2500 mOhms
  • 功率耗散：417 mW
  • 封裝/外殼：SOT-23
  • 零件號別名：BSH201 T/R
  • 上升時間：4.5 ns
  • 漏源擊穿電壓：60 V
  • RoHS：RoHS Compliant
  • 下降時間：4.5 ns
  • 漏極電流（最大值）：0.3 A
  • 頻率（最大）：Not Required MHz
  • 柵源電壓（最大值）：?20 V
  • 輸出功率（最大）：Not Required W
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