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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BSM080D12P2C008 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:ROHM[Rohm]
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  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:SiC Power Module
BSM080D12P2C008技術規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:分立半導體模塊
  • RoHS:
  • 產(chǎn)品:Power Semiconductor Modules
  • 類型:SiC Power MOSFET
  • Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, 22 V
  • 安裝風格:Screw Mount
  • 封裝 / 箱體:Module
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • 系列:BSMx
  • 封裝:Tray
  • 配置:Half Bridge
  • 商標:ROHM Semiconductor
  • 通道數(shù)量:2 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 典型延遲時間:20 ns
  • 下降時間:40 ns
  • Id-連續(xù)漏極電流:80 A
  • Pd-功率耗散:600 W
  • 產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
  • 上升時間:30 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:12
  • 子類別:Discrete Semiconductor Modules
  • 典型關閉延遲時間:80 ns
  • 典型接通延遲時間:20 ns
  • Vds-漏源極擊穿電壓:1200 V
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
  • 零件號別名:BSM080D12P2C008
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