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    BSM100GT120DN2

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  • 集好芯城

    17年

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    13年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

    8年

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  • 上海新隆電子有限公司

    14年

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BSM100GT120DN2 PDF資料
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  • 制造商：SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
  • PDF文件大小：180.14 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：IGBT Power Module (Three single switches Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
BSM100GT120DN2技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
  • RoHS:否
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:2.5 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A
  • 柵極—射極漏泄電流:400 nA
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 封裝 / 箱體:EconoPACK 3A
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 安裝風(fēng)格:Screw
  • Pd-功率耗散:680 W
  • 工廠包裝數(shù)量:10
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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