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BSM150GB120DN2E3166 PDF資料
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  • 制造商：SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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  • 描述：IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
BSM150GB120DN2_E3166技術規(guī)格
  • 產品IGBT Silicon Modules
  • 配置Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1200 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流210 A
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 封裝 / 箱體62MM
  • 封裝Reel
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓+/- 20 V
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風格Screw
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