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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BSM200GT120DN2 PDF資料
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- 制造商:SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
- PDF文件大?。?80.0 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM200GD60DLCBOSA1技術(shù)規(guī)格
- 包裝托盤
- 系列-
- 零件狀態(tài)最後搶購
- IGBT 類型-
- 配置全橋
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)600V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值)226A
- 功率 - 最大值700W
- 不同Vge,Ic 時的Vce(on)2.45V @ 15V,200A
- 電流 - 集電極截止(最大值)500μA
- 不同Vce 時的輸入電容(Cies)9nF @ 25V
- 輸入標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻無
- 工作溫度-40°C ~ 125°C
- 安裝類型底座安裝
- 封裝/外殼模塊
- 供應(yīng)商器件封裝模塊
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BSM200GD60DLCBOSA1相關(guān)型號