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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSM300D12P2E001 PDF資料
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- 制造商:ROHM[Rohm]
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- 描述:SiC Power Module
BSM300D12P2E001技術(shù)規(guī)格
- 制造商:ROHM Semiconductor
- 產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊
- RoHS:是
- 產(chǎn)品:Power MOSFET Modules
- 類型:SiC Power MOSFET
- Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, 22 V
- 安裝風(fēng)格:Screw Mount
- 封裝 / 箱體:Module
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:BSMx
- 封裝:Bulk
- 配置:Half-Bridge
- 高度:17 mm
- 長(zhǎng)度:122 mm
- 寬度:62 mm
- 商標(biāo):ROHM Semiconductor
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- 典型延遲時(shí)間:80 ns
- 下降時(shí)間:65 ns
- Id-連續(xù)漏極電流:300 A
- Pd-功率耗散:1875 W
- 產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
- 上升時(shí)間:70 ns
- 工廠包裝數(shù)量:4
- 子類別:Discrete Semiconductor Modules
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:250 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:80 ns
- Vds-漏源極擊穿電壓:1200 V
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
- 零件號(hào)別名:BSM300D12P2E001
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