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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSM35GD120DN2 PDF資料
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- 制造商:EUPEC[eupec GmbH]
- PDF文件大?。?72.04 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:IGBT Power Module
BSM35GD120DLCE3224技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
- 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
- 配置:Hex
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
- 集電極—射極飽和電壓:2.1 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:70 A
- 柵極—射極漏泄電流:400 nA
- Pd-功率耗散:280 W
- 封裝 / 箱體:EconoPACK 2A
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 125 C
- 封裝:Tray
- 高度:17 mm
- 長度:107.5 mm
- 寬度:45 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
- 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
- 工廠包裝數(shù)量:10
- 子類別:IGBTs
- 零件號別名:BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
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