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BSM50GD120DN2E3226 PDF資料
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  • 制造商:SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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  • 描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GD120DN2BOSA1技術(shù)規(guī)格
  • 包裝托盤(pán)
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)不適用於新設(shè)計(jì)
  • IGBT 類(lèi)型-
  • 配置全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)72A
  • 功率 - 最大值350W
  • 不同Vge,Ic 時(shí)的Vce(on)3V @ 15V,50A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)1mA
  • 不同Vce 時(shí)的輸入電容(Cies)3.3nF @ 25V
  • 輸入標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻無(wú)
  • 工作溫度150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型底座安裝
  • 封裝/外殼模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝模塊
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