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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSM75GD120DN2 PDF資料
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- 制造商:SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共9頁(yè)
- 描述:IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM75GD120DLCBOSA1技術(shù)規(guī)格
- 包裝托盤(pán)
- 系列-
- 零件狀態(tài)不適用於新設(shè)計(jì)
- IGBT 類型-
- 配置全橋
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值)125A
- 功率 - 最大值500W
- 不同Vge,Ic 時(shí)的Vce(on)2.6V @ 15V,75A
- 電流 - 集電極截止(最大值)92μA
- 不同Vce 時(shí)的輸入電容(Cies)5.1nF @ 25V
- 輸入標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻無(wú)
- 工作溫度-40°C ~ 125°C
- 安裝類型底座安裝
- 封裝/外殼模塊
- 供應(yīng)商器件封裝模塊
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