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  • 柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司認證

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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

    BSP250.115

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  • 深圳市維基鴻電子有限公司

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    13148740189/ 19520735817/1363291891713590238352,13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917文小姐,米小姐,朱小姐0755-82563613賽格科技園2棟100811013434

  • BSP250.115
  • NXPSEMICONDUCTORS 
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  • 原裝現(xiàn)貨,原裝正品! 

  • 深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

    7

    0755-8398734313828773769胡雙能深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場45樓4501A11013420

  • BSP250.115
  • NXPSEMICONDUCTORS 
  • 原廠原裝 
  • 21+ 
  • 12000 
  • 全新原裝庫存實單價優(yōu)支持 

  • 集好芯城

    17

    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號漢國中心55樓11010804

  • BSP250+135
  • NXP/恩智浦 
  • SOT-223 
  • 最新批? 
  • 16095 
  • 原廠原裝現(xiàn)貨匹配 

  • 集好芯城

    17

    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號漢國中心55樓11010804

  • BSP2500
  • BANDSPEED 
  • BGA 
  • 最新批? 
  • 17175 
  • 原廠原裝現(xiàn)貨現(xiàn)賣 

  • 集好芯城

    17

    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號漢國中心55樓11010804

  • BSP250115
  • Nexperia(安世) 
  • SOT-223 
  • 最新批? 
  • 17776 
  • 原廠原裝現(xiàn)貨匹配 

BSP254 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大小:76.49 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP250.115技術(shù)規(guī)格
  • Rohs:Lead free / RoHS Compliant
  • 標準包裝:1,000
  • FET 型 :MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • FET特點:Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(VDSS):30V
  • 電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C:3A
  • Rds(最大)@ ID,VGS:250 mOhm @ 1A, 10V
  • VGS(TH)(最大)@ Id:2.8V @ 1mA
  • 柵極電荷(Qg)@ VGS:25nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)@?Vds的:250pF @ 20V
  • 功率 - 最大:1.65W
  • 安裝類型 :Surface Mount
  • 包/盒 :TO-261-4, TO-261AA
  • 供應(yīng)商器件封裝:SC-73
  • 包裝材料 :Tape & Reel (TR)
  • 包裝:4SOT-223
  • 渠道類型:P
  • 通道模式:Enhancement
  • 最大漏源電壓:30 V
  • 最大連續(xù)漏極電流:3 A
  • RDS -于:250@10V mOhm
  • 最大門源電壓:±20 V
  • 工作溫度:-65 to 150 °C
  • 安裝:Surface Mount
  • 標準包裝:Cut Tape
  • 最大門源電壓:±20
  • 包裝寬度:3.7(Max)
  • PCB:3
  • 最大功率耗散:1650
  • 最大漏源電壓:30
  • 歐盟RoHS指令:Compliant
  • 最大漏源電阻:250@10V
  • 每個芯片的元件數(shù):1
  • 最低工作溫度:-65
  • 供應(yīng)商封裝形式:SC-73
  • 標準包裝名稱:SOT-223
  • 最高工作溫度:150
  • 包裝長度:6.7(Max)
  • 引腳數(shù):4
  • 包裝高度:1.7(Max)
  • 最大連續(xù)漏極電流:3
  • 封裝:Tape and Reel
  • 標簽:Tab
  • 鉛形狀:Gull-wing
  • FET特點:Logic Level Gate
  • 安裝類型:Surface Mount
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:3A (Ta)
  • 的Vgs(th ) (最大)@ Id:2.8V @ 1mA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-73
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:250 mOhm @ 1A, 10V
  • FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • 功率 - 最大:1.65W
  • 漏極至源極電壓(Vdss):30V
  • 輸入電容(Ciss ) @ VDS:250pF @ 20V
  • 閘電荷(Qg ) @ VGS:25nC @ 10V
  • 封裝/外殼:TO-261-4, TO-261AA
  • RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
  • 其他名稱:568-6222-1
  • 類別:Power MOSFET
  • 配置:Dual Drain, Single
  • 外形尺寸:6.7 x 3.7 x 1.7mm
  • 身高:1.7mm
  • 長度:6.7mm
  • 最大漏源電阻:0.25 Ω
  • 最高工作溫度:+150 °C
  • 最大功率耗散:1.65 W
  • 最低工作溫度:-65 °C
  • 包裝類型:SC-73
  • 典型柵極電荷@ VGS:10 nC V @ 10
  • 典型輸入電容@ VDS:250 pF V @ 20
  • 寬度:3.7mm
  • 工廠包裝數(shù)量:1000
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • 晶體管極性:P-Channel
  • 源極擊穿電壓:20 V
  • 連續(xù)漏極電流:- 3 A
  • 正向跨導(dǎo) - 閔:2 S, 1 S
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • RDS(ON):330 mOhms
  • 功率耗散:5 W
  • 封裝/外殼:SOT-223
  • 零件號別名:BSP250 T/R
  • 漏源擊穿電壓:- 30 V
  • RoHS:RoHS Compliant
  • 柵極電荷Qg:10 nC
  • 柵源電壓(最大值):?20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻:0.25 ohm
  • 工作溫度范圍:-65C to 150C
  • 極性:P
  • 類型:Power MOSFET
  • 元件數(shù):1
  • 工作溫度分類:Military
  • 漏源導(dǎo)通電壓:30 V
  • 弧度硬化:No
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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