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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSS126H6327XTSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?57.17 Kbytes
- PDF文件頁數:共9頁
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSS126H6327XTSA1技術規(guī)格
- 包裝標準卷帶
- 系列SIPMOS?
- 零件狀態(tài)停產
- FET 類型N 通道
- 技術MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)600V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)21mA(Ta)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)0V,10V
- 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)500 歐姆 @ 16mA,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 8μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)2.1nC @ 5V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)28pF @ 25V
- FET 功能耗盡模式
- 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
- 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應商器件封裝SOT-23-3
- 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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