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    BSS138G

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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BSS138G-AE2-R PDF資料
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  • 制造商：UTC[Unisonic Technologies]
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  • PDF文件頁數(shù)：共3頁
  • 描述：N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
BSS138-G技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Comchip Technology
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-23-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:50 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:0.22 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:0.8 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:0.35 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:Reel
  • 端接類型:SMD/SMT
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Comchip Technology
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:0.12 S
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:18 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:36 ns
  • 典型接通延遲時間:5 ns
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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