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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSS159NH6906XTSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：197.27 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
BSS159NH6906XTSA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：230mA（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 26μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：2.9nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：44pF @ 25V
- FET 功能：耗盡模式
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 160mA，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應商器件封裝：PG-SOT23-3
- 封裝/外殼：TO-236-3
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：5V
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：130 mA
- 最大漏源電壓：60 V
- 最大漏源電阻值：8 0hms
- 最大柵閾值電壓：2.4V
- 最小柵閾值電壓：3.5V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：SOT-23
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：消耗
- 類別：小信號
- 最大功率耗散：360 mW
- 系列：SIPMOS
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：1.4 nC @ 5 V
- 典型輸入電容值@Vds：29 pF @ 25 V
- 典型關(guān)斷延遲時間：9 ns
- 典型接通延遲時間：3.1 ns
- 寬度：1.3mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 高度：1mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 尺寸：2.9 x 1.3 x 1mm
- 最低工作溫度：-55 °C
- 長度：2.9mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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