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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BSS169H6906XTSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
BSS169H6906XTSA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：170mA（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 50μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：2.8nC @ 7V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：68pF @ 10V
- FET 功能：耗盡模式
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 170mA，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
- 封裝/外殼：TO-236-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：90 mA
- 最大漏源電壓：100 V
- 最大漏源電阻值：12 0hms
- 最大柵閾值電壓：1.8V
- 最小柵閾值電壓：2.9V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：SOT-23
- 晶體管配置：單
- 引腳數(shù)目：3
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：小信號
- 最大功率耗散：360 mW
- 高度：1mm
- 尺寸：2.9 x 1.3 x 1mm
- 系列：SIPMOS
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：2.1 nC @ 7 V
- 典型輸入電容值@Vds：51 pF @ 25 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：11 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：2.9 ns
- 寬度：1.3mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 最低工作溫度：-55 °C
- 長度：2.9mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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BSS169H6906XTSA1相關(guān)型號
