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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

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    1812404712018124047120韓雪華強北路1019號華強廣場A16樓01012660

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

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    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區(qū)中航路都會軒240611012658

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  • InfineonTechnologies 
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  • 深圳誠思涵科技有限公司

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    0755-23947236/8301550615302723671/15820783671曾小姐0755-82815131深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟518室11011880

  • BSZ036NE2LSATMA1
  • INFINEON 
  • 2019+ 
  • PG-TSDSON-8-25 
  • 20000 
  • 進口原裝現(xiàn)貨一級代理商! 

  • 深圳市芯世界半導體有限公司

    10

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • BSZ036NE2LSATMA1
  • Infineon 
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BSZ036NE2LSATMA1 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:Infineon Technologies
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  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ036NE2LSATMA1技術規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TSDSON-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:40 A
  • Rds On-漏源導通電阻:3 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:21 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:37 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長度:3.3 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:3.3 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 正向跨導 - 最小值:44 S
  • 下降時間:2.2 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:2.8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:15 ns
  • 典型接通延遲時間:3.3 ns
  • 零件號別名:BSZ036NE2LS BSZ36NE2LSXT SP000854572
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