�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
BSZ0911LSATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������955.33 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- �����������N�b�� N ͨ�� 30 V 12A��Ta����40A��Tc�� PG-TDSON-8 FL
BSZ0911LSATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������Infineon Technologies
- ϵ��OptiMOS? 5
- ���b�펧��TR��
- FET ���N ͨ��
- ���g(sh��)MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss��30 V
- 25��C �r(sh��)��� - �B�m(x��)©�O (Id)12A��Ta����40A��Tc��
- �(q��)��(d��ng)늉������ Rds On����С Rds On��4.5V��10V
- ��ͬ Id��Vgs �r(sh��)��(d��o)ͨ��裨���ֵ��7 ���W @ 20A��10V
- ��ͬ Id �r(sh��) Vgs(th)�����ֵ��2V @ 250��A
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ŘO늺�?(Qg)�����ֵ��10 nC @ 10 V
- Vgs�����ֵ����20V
- ��ͬ Vds �r(sh��)ݔ����� (Ciss)�����ֵ��670 pF @ 15 V
- FET ����-
- ���ʺ�ɢ�����ֵ��-
- �����ض�-55��C ~ 150��C��TJ��
- ���b��������N�b��
- ����(y��ng)���������bPG-TDSON-8 FL
- ���b/�⚤8-PowerTDFN
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSZ0911LSATMA1���P(gu��n)��̖(h��o)