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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSZ22DN20NS3GATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?14.69 Kbytes
- PDF文件頁數：共9頁
- 描述：MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ22DN20NS3GATMA1技術規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：7A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 13μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：5.6nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：430pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：100V
- 功率耗散（最大值）：34W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：225 毫歐 @ 3.5A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應商器件封裝：PG-TSDSON-8
- 封裝/外殼：PG-TSDSON-8
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：7 A
- 最大漏源電壓：200 V
- 最大漏源電阻值：0.225 0hms
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：TDSON
- 引腳數目：8
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：34 W
- 最低工作溫度：-55 °C
- 正向跨導：7S
- 正向二極管電壓：1.2V
- 尺寸：3.4 x 3.4 x 1.1mm
- 寬度：3.4mm
- 每片芯片元件數目：1
- 系列：OptiMOS 3
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：4.2 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：320 pF @ 100 V
- 典型關斷延遲時間：6 ns
- 典型接通延遲時間：4 ns
- 高度：1.1mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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