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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSZ42DN25NS3 G PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?12.75 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ42DN25NS3 G技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):430pF @ 100V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):33.8W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):425 毫歐 @ 2.5A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PG-TSDSON-8
- FET 類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源極電壓(Vdss):250V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 通道數(shù)量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流:5A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:371mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:5.5nC
- 最小工作溫度:-55C
- 最大工作溫度:+150C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:33.8W
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:CutTape
- 高度:1.1mm
- 長度:3.3mm
- 系列:OptiMOS3
- 晶體管類型:1N-Channel
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:3S
- 下降時間:5ns
- 上升時間:2ns
- 典型關(guān)閉延遲時間:8ns
- 典型接通延遲時間:3ns
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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