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    BUK6E2R0-30C

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  • VISHAY/威世 
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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BUK6E2R0-30C PDF資料
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  • 制造商:NXP[NXP Semiconductors]
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  • PDF文件頁(yè)數(shù):共15頁(yè)
  • 描述:N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R0-30C技術(shù)規(guī)格
  • 晶體管極性::N Channel
  • Continuous Drain Current Id::120A
  • Drain Source Voltage Vds::30V
  • On Resistance Rds(on)::1.9mohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs::10V
  • Threshold Voltage Vgs::2.3V
  • 功耗::306W
  • Operating Temperature Min::-55°C
  • Operating Temperature Max::175°C
  • Transistor Case Style::SOT-226
  • No. of Pins::3
  • MSL::-
  • SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)
  • Current Id Max::120A
  • 工作溫度范圍::-55°C to +175°C
  • Voltage Vgs Max::16V
  • Weight (kg):0.002475
  • Tariff No.:85412900
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