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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BUK7E5R2-100E,127 PDF資料
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- 制造商:Nexperia
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- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7E5R2-100E,127技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Nexperia
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:I2PAK-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Id-連續(xù)漏極電流:120 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.1 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:180 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:349 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 資格:AEC-Q101
- 封裝:Tube
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標(biāo):Nexperia
- 下降時(shí)間:80 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:62 ns
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:158 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:37 ns
- 單位重量:2.300 g
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