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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BUK9K29-100E PDF資料
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- 制造商:NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]
- PDF文件大?。?44.93 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:Dual N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9K29-100E,115技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Nexperia
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:LFPAK56D-8
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Id-連續(xù)漏極電流:30 A
- Rds On-漏源導通電阻:25.1 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.7 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:15 V
- Qg-柵極電荷:5.6 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:68 W
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 資格:AEC-Q101
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 商標:Nexperia
- 下降時間:35.1 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:6.4 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:67.3 ns
- 典型接通延遲時間:6.1 ns
- 單位重量:118.300 mg
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