�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
BZX85B6V2-TAP
- Vishay Semiconductors��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-


BZX85B6V2-TAP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Vishay Semiconductors
- PDF�������130.94 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����6�(y��)
- ��������(w��n)�����O�� 6.2 Volt 1.3 Watt 2%
BZX85B6V2-TAP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Vishay
- �a(ch��n)Ʒ�N�:��(w��n)�����O��
- RoHS:��
- Vz - �R�{늉�:6.2 V
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:DO-41
- Pd-���ʺ�ɢ:1.3 W
- 늉��ݲ�:2 %
- 늉��ض�ϵ��(sh��):0.032 %/C
- �R�{���:170 mA
- Zz - �R�{�迹:4 Ohms
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- ����:Single
- �y(c��)ԇ���:35 mA
- ���b:Ammo Pack
- �߶�:2.6 mm
- �L(zh��ng)��:4.1 mm
- �˽����:Axial
- ����:2.6 mm
- �̘�(bi��o):Vishay Semiconductors
- Ir - ������� :1 uA
- �a(ch��n)Ʒ���:Zener Diodes
- ���S���b��(sh��)��:5000
- ��e:Diodes & Rectifiers
- �����:310 mg
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BZX85B6V2-TAP���P(gu��n)��̖(h��o)