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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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CPH6350-TL-W PDF資料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?00.77 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：P-Channel Power MOSFET
CPH6350-TL-W技術(shù)規(guī)格
- FET類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：6A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：600pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：43 毫歐 @ 3A，10V
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 封裝形式Package：CPH
- 極性Polarity：P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：30V
- 連續(xù)漏極電流ID：6A
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：600pF @ 10V
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：43 毫歐 @ 3A，10V
- FET 類型：P 溝道
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6A（Ta）
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 10V
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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