�Y�x�Y(ji��)���������̹������S�r��������
- ������
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄գ����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A����·1019̖�A���V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
CSD19531KCS PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TI1[Texas Instruments]
- PDF�������838.5 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����7�
- ������100V N-Channel NexFETa?�� Power MOSFETs
CSD19531KCS���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Texas Instruments
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-220-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:200 A
- Rds On-©Դ��ͨ���:7.7 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.7 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:38 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:179 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘���:NexFET
- ���b:Tube
- �߶�:16.51 mm
- �L��:10.67 mm
- ϵ��:CSD19531KCS
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:4.7 mm
- �̘�:Texas Instruments
- �½��r�g:4.1 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:7.2 ns
- ���S���b��(sh��)��:50
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:16 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:8.4 ns
- �����:6 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�)
CSD19531KCS���P(gu��n)��̖