�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
CSD19533KCS PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TI1[Texas Instruments]
- PDF�������768.99 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����10�(y��)
- ������100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19533KCS���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Texas Instruments
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-220-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:100 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:10.5 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.8 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:27 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:188 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:NexFET
- ���b:Tube
- �߶�:16.51 mm
- �L(zh��ng)��:10.67 mm
- ϵ��:CSD19533KCS
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:4.7 mm
- �̘�(bi��o):Texas Instruments
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:115 S
- �½��r(sh��)�g:2 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:5 ns
- ���S���b��(sh��)��:50
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:12 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:7 ns
- �����:6 g
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
CSD19533KCS���P(gu��n)��̖(h��o)