�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
CSD25202W15 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TI1[Texas Instruments]
- PDF�������416.25 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����12�
- ������20V P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD25202W15���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Texas Instruments
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:DSBGA-9
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:P-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:20 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:4 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:52 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.05 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:6 V
- Qg-�ŘO늺�:7.5 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:500 mW (1/2 W)
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:NexFET
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:0.62 mm
- �L��:1.5 mm
- ϵ��:CSD25202W15
- ���w�����:1 P-Channel
- ����:1.5 mm
- �̘�(bi��o):Texas Instruments
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:16 S
- �½��r(sh��)�g:28 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:12 ns
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:64 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:15 ns
- �����:2 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
CSD25202W15���P(gu��n)��̖(h��o)