�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
CSD25303W1015
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
CSD25303W1015
- Texas Instruments��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


CSD25303W1015 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TI1[Texas Instruments]
- PDF�������223.51 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����10�(y��)
- ������P-Channel NexFETa?�� Power MOSFET
CSD25303W1015���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- �a(ch��n)Ʒ��Ӗ(x��n)ģ�K��NexFET MOSFET Technology
- ҕ�l�ļ���PowerStack? Packaging Technology Overview
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��3,000
- �(l��i)�e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��FET - ��
- ϵ�У�NexFET??
- ���b��������TR��
- FET �(l��i)�ͣ�MOSFET P ͨ��������������
- FET ���ܣ�߉�ƽ�T(m��n)
- ©Դ�O늉���Vdss����20V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����3A��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����58 ���W @ 1.5A��4.5V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����1V @ 250µA
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺ɣ�Qg����4.3nC @ 4.5V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss����435pF @ 10V
- ���� - ���ֵ��1.5W
- ���b�(l��i)�ͣ������N�b
- ���b/�⚤��6-UFBGA��DSBGA
- ����(y��ng)���������b��6-DSBGA��1x1.5��
- �������Q��296-28317-2
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
CSD25303W1015���P(gu��n)��̖(h��o)