�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
CSD85312Q3E PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TI1[Texas Instruments]
- PDF�ļ���С��1464.9 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����13�
- ������Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD85312Q3E���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Texas Instruments
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:VSON-8
- ͨ����(sh��)��:2 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:20 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:12 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:14 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.1 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
- Qg-�ŘO늺�:11.7 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:2.5 W
- ����:Dual
- �̘�(bi��o)��:NexFET
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1 mm
- �L��:3.3 mm
- ϵ��:CSD85312Q3E
- ���w�����:2 N-Channel
- ����:3.3 mm
- �̘�(bi��o):Texas Instruments
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:99 S
- �½��r(sh��)�g:6 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:27 ns
- ���S���b��(sh��)��:2500
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:24 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:11 ns
- �����:32 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
CSD85312Q3E���P(gu��n)��̖