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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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DTA123TM3T5G PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小:144.05 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共11頁(yè)
- 描述:PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
DTA123TM3T5G技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
- 系列:-
- 包裝:帶卷(TR)
- 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):-
- 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 5mA,10V
- 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):500nA
- 頻率 - 躍遷:-
- 功率 - 最大值:260mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:SOT-723
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