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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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EMH2412 PDF資料
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- 制造商:SANYO[Sanyo Semicon Device]
- PDF文件大小:275.12 Kbytes
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- 描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
EMH2411R-TL-H技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 陣列
- 系列:-
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):36.5 毫歐 @ 2.5A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):-
- 功率 - 最大值:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:8-EMH
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