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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    FF600R12ME3

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

  • FF600R12ME3
  • Infineon　
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • Infineon　
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  • 深圳市明烽威電子有限公司

    13年

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  • 只做進(jìn)口原裝正品 明烽威電子　

  • 深圳市優(yōu)普通用電氣有限公司

    14年

    0755-8272794413715253108曹先同0755-82727944深圳市福田區(qū)振中路新亞洲二期N3A0590100236

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  • INFINEON　
  • IGBT　
  • 13+　
  • 180　
  • 主營(yíng)IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)　

  • 上海新隆電子有限公司

    14年

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  • FF600R12ME4
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  • 全新，散新，拆機(jī)，低價(jià)供應(yīng)　

FF600R12ME4 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?12.58 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC
FF600R12ME4技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
  • 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:2.1 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:995 A
  • 柵極—射極漏泄電流:400 nA
  • Pd-功率耗散:4050 W
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 封裝:Tray
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
  • 工廠包裝數(shù)量:10
  • 子類別:IGBTs
  • 零件號(hào)別名:FF600R12ME4BOSA1 SP000635448
  • 單位重量:345 g
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