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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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FS50R12W2T4_B11 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?37.56 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
FS50R12W2T4_B11技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
- 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
- 集電極—射極飽和電壓:2.15 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:83 A
- 柵極—射極漏泄電流:100 nA
- Pd-功率耗散:335 W
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 封裝:Tray
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
- 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
- 工廠包裝數(shù)量:15
- 子類別:IGBTs
- 零件號別名:FS50R12W2T4B11BOMA1 SP000546148
- 單位重量:39 g
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