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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
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FS55MR12W1M1HB11NPSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- 描述:IGBT 模塊
FS55MR12W1M1HB11NPSA1技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品IGBT Silicon Carbide Modules
- 配置6-Pack
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1200 V
- 集電極—射極飽和電壓-
- 在25 C的連續(xù)集電極電流15 A
- 柵極—射極漏泄電流400 nA
- Pd-功率耗散-
- 封裝 / 箱體
- 最小工作溫度- 40 C
- 最大工作溫度+ 175 C
- 資格
- 封裝Tray
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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