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    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市春東電子有限公司

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  • 深圳市明烽威電子有限公司

    13年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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FZ1800R45HL4BPSA1 PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?50.50 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共14頁
  • 描述：IGBT 模塊 溝槽型場截止 3 個(gè)獨(dú)立式 4500 V 1.8 kA 4000 W 底座安裝 AG-IHVB190
FZ1800R17KF6C_B2技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品IGBT Silicon Modules
  • 配置Triple Common Emitter Common Gate
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1700 V
  • 集電極—射極飽和電壓2.6 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流2900 A
  • 柵極—射極漏泄電流400 nA
  • 功率耗散13.9 KW
  • 最大工作溫度+ 125 C
  • 封裝 / 箱體IHM190
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓+/- 20 V
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 工廠包裝數(shù)量1
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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