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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
IAUZ30N08S5N186ATMA1
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IAUZ30N08S5N186ATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- 描述:表面貼裝型 N 通道 80 V 30A(Tj) 41W(Tc) PG-TSDSON-8-32
IAUZ30N08S5N186ATMA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商Infineon Technologies
- 系列OptiMOS?
- 包裝卷帶(TR)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)80 V
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Tj)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
- 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)18.6 毫歐 @ 15A,10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 13μA
- 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)12.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)759 pF @ 40 V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)41W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝PG-TSDSON-8-32
- 封裝/外殼8-PowerTDFN
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