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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 集好芯城

    17年

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    13年

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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共14頁(yè)
  • 描述：HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKP01N120H2技術(shù)規(guī)格
  • 數(shù)據(jù)列表：IKP01N120H2
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：IGBT - 單路
  • 系列：-
  • 包裝：管件
  • IGBT 類型：-
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：3.2A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：3.5A
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：2.8V @ 15V，1A
  • 功率 - 最大值：28W
  • 開(kāi)關(guān)能量：140µJ
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：8.6nC
  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：13ns/370ns
  • 測(cè)試條件：800V，1A，241 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：83ns
  • 封裝/外殼：TO-220-3
  • 安裝類型：通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3
  • 其它名稱：IKP01N120H2XKSA1SP000683050
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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