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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • 描述：IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
IKW40N120T2FKSA1技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 封裝 / 箱體:TO-247-3
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
  • 集電極—射極飽和電壓:1.75 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A
  • Pd-功率耗散:480 W
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • 系列:TRENCHSTOP IGBT
  • 封裝:Tube
  • 商標:Infineon Technologies
  • 柵極—射極漏泄電流:200 nA
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:240
  • 子類別:IGBTs
  • 商標名:TRENCHSTOP
  • 零件號別名:IKW40N120T2 IKW4N12T2XK SP000244962
  • 單位重量:5.420 g
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