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IKW40N65ES5 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?924.95 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共16頁
  • 描述:high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode
IKW40N65ES5技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 封裝 / 箱體:TO-247-3
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
  • 集電極—射極飽和電壓:1.35 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:79 A
  • Pd-功率耗散:230 W
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • 系列:TRENCHSTOP 5 S5
  • 封裝:Tube
  • 高度:20.7 mm
  • 長度:15.87 mm
  • 工作溫度范圍:- 40 C to + 175 C
  • 寬度:5.31 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 柵極—射極漏泄電流:100 nA
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:240
  • 子類別:IGBTs
  • 商標(biāo)名:TRENCHSTOP
  • 零件號別名:IKW40N65ES5XKSA1 SP001319680
  • 單位重量:38 g
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