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  • 制造商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
  • PDF文件大?。?44.67 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共2頁
  • 描述:Isc N-Channel MOSFET Transistor
IPB34CN10N G技術規(guī)格
  • 標準包裝:1,000
  • 類別:分立半導體產品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:OptiMOS??
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 27A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 29µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1570pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:58W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:PG-TO263-2
  • 其它名稱:IPB34CN10NGATMA1SP000277693
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