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IPB600N25N3 G PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大小：629.81 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共11頁
  • 描述：MOSFET N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB600N25N3 G技術(shù)規(guī)格
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2350pF @ 100V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 25A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PG-TO263-3
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：25A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 90μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：29nC @ 10V
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • 通道數(shù)量：1Channel
  • 晶體管極性：N-Channel
  • Id-連續(xù)漏極電流：25A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：51mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓：2V
  • Vgs - 柵極-源極電壓：20V
  • Qg-柵極電荷：29nC
  • 最小工作溫度：-55C
  • 最大工作溫度：+175C
  • 配置：Single
  • Pd-功率耗散：136W
  • 通道模式：Enhancement
  • 商標(biāo)名：OptiMOS
  • 封裝：CutTape
  • 高度：4.4mm
  • 長度：10mm
  • 系列：OptiMOS3
  • 晶體管類型：1N-Channel
  • 寬度：9.25mm
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值：24S
  • 下降時(shí)間：8ns
  • 上升時(shí)間：10ns
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22ns
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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