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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPA50R380CE PDF資料
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- 制造商：ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
- PDF文件大小：260.99 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共2頁
- 描述：Isc N-Channel MOSFET Transistor
IPA50R380CE技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：500V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9.9A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 260μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：24.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：584pF @ 100V
- FET 功能：超級結(jié)
- 功率耗散（最大值）：29.2W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 3.2A，13V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 安裝風(fēng)格：ThroughHole
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：14.1A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：340mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：24.8nC
- 最小工作溫度：-40C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：29.2W
- 通道模式：Enhancement
- 商標(biāo)名：CoolMOS
- 封裝：Tube
- 高度：16.15mm
- 長度：10.65mm
- 系列：CoolMOSCE
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：4.85mm
- 下降時間：8.36ns
- 上升時間：5.6ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：35ns
- 典型接通延遲時間：7.2ns
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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IPA50R350P(5R350P)相關(guān)型號
