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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPA50R950CE PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?402.98 Kbytes
- PDF文件頁數:共14頁
- 描述:Very high commutation ruggedness
IPA50R950CE技術規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):500V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Tc)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):13V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10.5nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):231pF @ 100V
- FET 功能:超級結
- 功率耗散(最大值):25.7W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 1.2A,13V
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:PG-TO220FP
- 封裝/外殼:PG-TO220-3
- 安裝風格:ThroughHole
- 通道數量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:500V
- Id-連續(xù)漏極電流:4.3A
- Rds On-漏源導通電阻:800mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:10.5nC
- 最大工作溫度:+150C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:26W
- 高度:16.15mm
- 長度:10.65mm
- 系列:CoolMOSCE
- 晶體管類型:1N-Channel
- 寬度:4.85mm
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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