篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPA60R199CP_08 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?66.78 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共10頁(yè)
- 描述：CoolMos Power Transistor
IPA60R199CPXKSA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：16A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1.1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：43nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1520pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：34W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：199 毫歐 @ 9.9A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：16 A
- 最大漏源電壓：650 V
- 最大漏源電阻值：199 m0hms
- 最大柵閾值電壓：3.5V
- 最小柵閾值電壓：2.5V
- 最大柵源電壓：-30 V、+30 V
- 封裝類型：TO-220FP
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：34 W
- 高度：16.15mm
- 正向二極管電壓：1.2V
- 系列：CoolMOS CP
- 尺寸：10.65 x 4.85 x 16.15mm
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：32 nC
- 典型輸入電容值@Vds：1520 pF@ 100 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：50 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：10 ns
- 寬度：4.85mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 最高工作溫度：+150 °C
- 最低工作溫度：-55 °C
- 長(zhǎng)度：10.65mm
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPA60R199CP(6R199P)相關(guān)型號(hào)
