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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPA65R110CFDXKSA2 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:3.78 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共20頁
- 描述:MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPA65R110CFDXKSA2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3FP
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:31.2 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:118 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:34.7 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 系列:CFD2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:Infineon Technologies
- 下降時間:6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:11 ns
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:68 ns
- 典型接通延遲時間:16 ns
- 零件號別名:IPA65R110CFD
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